[发明专利]半导体器件阵列的制备方法、半导体器件阵列和电子设备在审
| 申请号： | 202310084475.2 | 申请日： | 2023-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN116113312A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张亮;王一休;杨青;付翔;李凌 | 申请（专利权）人： | 之江实验室 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 311121 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件阵列及其制备方法和电子设备。该制备方法包括以下步骤：S1.在衬底表面形成第一电极阵列；S2.在衬底的一侧涂覆光刻胶，在光刻胶上形成通孔阵列，通孔阵列在衬底上的正投影与第一电极阵列在衬底上的正投影至少部分重合，衬底至少部分裸露于通孔阵列；S3.采用Langmuir‑Blodgett工艺形成二维材料层；S4.使用有机溶剂冲洗二维材料层远离衬底的一侧；S5.重复步骤S2～S4，直至通孔阵列远离衬底的一侧均覆盖有二维材料层，形成二维材料层阵列；S6.在衬底上依次形成绝缘层阵列和第二电极阵列。本申请结合LB工艺和二维材料的特性，扩充了二维材料在半导体器件中实现阵列化的构建方案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 阵列 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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