[发明专利]半导体器件阵列的制备方法、半导体器件阵列和电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.在衬底表面形成第一电极阵列；

S2.在所述衬底靠近所述第一电极阵列的一侧涂覆光刻胶，在所述光刻胶上形成通孔阵列，所述通孔阵列与所述第一电极阵列相对应，所述通孔阵列在所述衬底上的正投影与所述第一电极阵列在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述衬底至少部分裸露于所述通孔阵列；

S3.采用Langmuir-Blodgett工艺在所述光刻胶远离所述衬底的一侧形成二维材料层；

S4.使用有机溶剂冲洗所述二维材料层远离所述衬底的一侧，至少部分所述通孔阵列远离所述衬底的一侧覆盖有所述二维材料层；

S5.重复步骤S2～S4，直至所述通孔阵列远离所述衬底的一侧均覆盖有所述二维材料层，形成二维材料层阵列，所述二维材料层阵列与所述通孔阵列相对应；

S6.在所述二维材料层阵列远离所述衬底的一侧依次层叠形成绝缘层阵列和第二电极阵列，所述绝缘层阵列和第二电极阵列均与所述二维材料层阵列相对应。

2.根据权利要求1所述的半导体器件阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中所述通孔阵列包括多个通孔，所述通孔的形状为多边形、圆形或椭圆形中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中采用Langmuir-Blodgett工艺在所述光刻胶远离所述衬底的一侧形成二维材料层包括：在二维材料提取液中浸入-移出所述步骤S2中得到的样品，重复操作3次及以上，直至所述光刻胶远离所述衬底的一侧形成二维材料层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中所述有机溶剂为丙酮。

5.根据权利要求1所述的半导体器件阵列的制备方法，其特征在于，步骤S6中所述在所述二维材料层阵列远离所述衬底的一侧形成绝缘层阵列包括：

采用加热退火工艺将所述二维材料层阵列置于氧气氛围中200℃及以上的温度条件下加热5～15分钟。

6.根据权利要求1所述的半导体器件阵列的制备方法，其特征在于，在所述步骤S6中所述第二电极阵列在所述衬底上的正投影与所述第一电极阵列在所述衬底上的正投影至少部分重合形成重叠区。

7.根据权利要求6所述的半导体器件阵列的制备方法，其特征在于，在所述步骤S5中至少部分所述二维材料层阵列覆盖所述重叠区。

8.一种半导体器件阵列，其特征在于，所述半导体器件阵列由如权利要求1～7任一项所述的半导体器件阵列的制作方法制备得到，所述半导体器件阵列包括：

衬底，

第一电极阵列，设置于所述衬底的一侧，所述第一电极阵列包括多个第一电极；

第二电极阵列，设置于所述第一电极阵列远离所述衬底的一侧，所述第二电极阵列包括多个第二电极，所述第一电极在所述衬底的平面上的正投影与所述第二电极在所述衬底的平面上的正投影至少部分重合形成重叠区；

二维材料层阵列，包括多个二维材料层，所述二维材料层设置于所述第一电极和所述第二电极之间；至少部分所述二维材料层完全覆盖所述重叠区并且所述二维材料层靠近所述第一电极的一侧至少部分与所述衬底靠近所述第一电极的一侧相接触。

9.根据权利要求8所述的半导体器件阵列，其特征在于，所述二维材料阵列靠近所述第二电极阵列的一侧还设有绝缘层阵列，所述绝缘层阵列与所述二维材料层阵列相对应。

10.根据权利要求9所述的半导体器件阵列，其特征在于，所述衬底为硅-二氧化硅。

11.根据权利要求9所述的半导体器件阵列，其特征在于，所述二维材料层的材质为碲。