[发明专利]一种高纯氨基镓、铟、铝化合物的制备方法在审
| 申请号： | 202310083071.1 | 申请日： | 2023-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN116003459A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 宋福全;卢志国;顾二形;王小亮;王波;刘立湘;杨丰誉;孙长礼;孙彦辉 | 申请（专利权）人： | 安徽博泰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C07F5/06 | 分类号： | C07F5/06;C07F5/00 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 苏宇 |
| 地址： | 239000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯氨基镓、铟、铝化合物的制备方法，属于半导体芯片技术领域，包括以下步骤：第一步、制备二甲基氨基锂正己烷悬浮液；第二步、制备三(二甲基氨基)镓二聚体粗品、三(二甲基氨基)铟二聚体粗品和三(二甲基氨基)铝二聚体粗品中一种；第三步、采用阶梯降温重结晶法纯化三(二甲基氨基)金属化合物粗品，得到高纯氨基镓、铟、铝化合物；本发明采用阶梯降温重结晶法纯化三(二甲基氨基)金属化合物粗品，不仅效率高且工艺简单，重结晶过程中产品结晶速度适中，不会形成杂质包裹，产品的晶形好，纯度≥99.9999％(6N)，满足半导体芯片ALD/CVD膜沉积用的纯度需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氨基 化合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
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