[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202310070795.2 | 申请日: | 2023-01-12 |
公开(公告)号: | CN116779621A | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 朴美善 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;赵莎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种图像传感器,包括:像素划分结构,像素划分结构包括中心部分和位于中心部分的侧壁上的侧部图案结构,像素划分结构在垂直于衬底的上表面的垂直方向上延伸穿过衬底,像素划分结构限定包括单位像素的单位像素区域。图像传感器包括位于每个单位像素区域中的感光元件;平坦化层,平坦化层位于衬底上;滤色器阵列层,滤色器阵列层位于平坦化层上并且包括滤色器;以及微透镜,微透镜位于滤色器阵列层上。侧部图案结构包括:第二侧部图案,第二侧部图案位于中心部分的侧壁上,以及第一侧部图案,第一侧部图案位于第二侧部图案的外侧壁上,第一侧部图案包括氧化硅,并且第二侧部图案包括含碳氮化硅。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的