[发明专利]非挥发性内存元件在审

专利信息
申请号: 202310064239.4 申请日: 2023-01-13
公开(公告)号: CN116896886A 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 范德慈;黄义欣;郑宗文 申请(专利权)人: 物联记忆体科技股份有限公司
主分类号: H10B41/30 分类号: H10B41/30;H10B41/42;H10B41/50
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开一种非挥发性内存元件,包括至少一个内存单元,内存单元包括衬底、堆叠结构、穿隧介电层、浮置闸极、控制闸极结构和抹除闸极结构。堆叠结构设置在衬底上,并且包括依序堆叠的闸极介电层、辅助闸极和绝缘层。穿隧介电层位于堆叠结构一侧的衬底上。浮置闸极设置在穿隧介电层上,并包括最上边缘和曲面侧壁。控制闸极结构覆盖浮置闸极的曲面侧壁。抹除闸极结构覆盖浮置闸极和控制闸极结构,且浮置闸极的最上边缘被嵌入至抹除闸极结构中。
搜索关键词: 挥发性 内存 元件
【主权项】:
暂无信息
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