[发明专利]阻挡杂质带探测器及其制备方法、探测系统在审
申请号: | 202310064073.6 | 申请日: | 2023-01-13 |
公开(公告)号: | CN116093193A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 杜瑀;朱家旗;陈焕坚;阮罗渊;宋睿烜;白石根;林虹宇;唐燕如;单玉凤;俞国林;邓惠勇;戴宁 | 申请(专利权)人: | 之江实验室 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 311121 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请涉及一种阻挡杂质带探测器及其制备方法、探测系统。其中,阻挡杂质带探测器包括:衬底、转接电极与至少一个接收单元;所述衬底具有相对的第一表面与第二表面,所述接收单元从所述第一表面开始朝向所述第二表面延伸;所述接收单元在所述第一表面上阵列排布;所述接收单元被配置为接收辐射,并产生与接收的辐射相对应的电流;每一所述接收单元均包括接触部;所述转接电极位于至少部分所述接触部朝向所述第一表面的一侧,所述转接电极的材料包括石墨烯。 | ||
搜索关键词: | 阻挡 杂质 探测器 及其 制备 方法 探测 系统 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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