[发明专利]一种用于去除溶液法生长晶体气液界面多晶的装置在审

专利信息
申请号: 202310056074.6 申请日: 2023-01-17
公开(公告)号: CN116005244A 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 罗金平;裴骏红;刘立军 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C30B7/00 分类号: C30B7/00;C30B29/36
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 王艾华
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开一种用于去除溶液法生长晶体气液界面多晶的装置,包括升降控制机构和搅拌桨机构,升降控制机构由电磁铁和弹簧组成,以控制搅拌桨在坩埚中的轴向位置,搅拌桨由连接轴和设置于坩埚内壁附近的搅拌块组成,其转速由固定于炉体上的电机控制,在晶体生长准备期,闭合回路断电,搅拌桨在弹簧支撑力作用下远离溶液表面,且不旋转;在晶体生长过程中,电磁铁产生磁力压缩弹簧,使搅拌桨位置下降,通过电机驱动,在溶液表面以一定转速旋转。本发明能够去除溶液法生长晶体过程中气液界面处沿坩埚内壁向中心生长的多晶硬质界面层,促进溶质的溶解,增强溶质在溶液中的传质作用,提高晶体生长速率和生长质量。
搜索关键词: 一种 用于 去除 溶液 生长 晶体 界面 多晶 装置
【主权项】:
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