[发明专利]一种高负载调整率和高线性调整率的双环路LDO电路在审
| 申请号： | 202310054196.1 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116301149A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王兴;陈彦杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高负载调整率和高线性调整率的双环路LDO电路，属于半导体集成电路领域，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、一个误差放大器、一个恒流源、一个稳压管、一个内置电容以及一个负载电阻。本发明使用两个线性P沟道金属氧化物半导体管进行快速电流和电压调节，通过动态反馈环路、频率补偿电路、内置电容的设计使LDO具有随负载变化输出稳定、快速瞬态响应、高电源抑制比、过冲抑制、高集成度、小尺寸、低成本等优点。本发明LDO电路具有高的线性调整率和高的负载调整率，比普通LDO的线性调整率和负载调整率分别降低了10％和16.7％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负载 调整 线性 环路 ldo 电路 | ||
【主权项】：
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