[发明专利]一种高负载调整率和高线性调整率的双环路LDO电路

说明书

本发明公开一种高负载调整率和高线性调整率的双环路LDO电路，属于半导体集成电路领域，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、一个误差放大器、一个恒流源、一个稳压管、一个内置电容以及一个负载电阻。本发明使用两个线性P沟道金属氧化物半导体管进行快速电流和电压调节，通过动态反馈环路、频率补偿电路、内置电容的设计使LDO具有随负载变化输出稳定、快速瞬态响应、高电源抑制比、过冲抑制、高集成度、小尺寸、低成本等优点。本发明LDO电路具有高的线性调整率和高的负载调整率，比普通LDO的线性调整率和负载调整率分别降低了10％和16.7％。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及一种高负载调整率和高线性调整率的双环路LDO电路。

背景技术

随着电力电子技术的高速发展以及半导体集成技术的进步，各种类型的电子产品广泛进入人们的日常生活。在许多电力电子设备应用场合，许多外部供电系统、DCDC中内部供电系统都需要LDO(lowdropout regulator，低压差线性稳压器)作为供电电源，尤其是无片外电容的LDO比含片外电容LDO负载瞬态响应特性差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高负载调整率和高线性调整率的双环路LDO电路，以解决现有LDO无片外电容、单环路控制、功耗大、瞬态响应慢、低电源抑制比、集成度低、尺寸大、成本高、低负载瞬态响应、低线性调整率的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种高负载调整率和高线性调整率的双环路LDO电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、一个误差放大器、一个恒流源、一个稳压管、一个内置电容以及一个负载电阻；

第一PMOS管的源极接输入电压信号V_IN，漏极接第一电阻的第一端，栅极接第四PMOS管的漏极；稳压管的第一端接第一PMOS管的漏极，第二端接地GND；内置电容的第一端接第一PMOS管的漏极，第二端接地GND；第一电容的第一端接第二电阻的第一端，第二端接地GND；

第一电阻的第二端接误差放大器的负向端V_FB，第二电阻的第一端接第一电阻的第二端；误差放大器的正向端接V_REF参考端，误差放大器的供电端接输出电压V_OUT，另一供电端接地GND；

误差放大器的输出EA_OUT接第三电阻的第一端，第三电阻的第二端接第二电容的第一端，第二电容的第二端接地GND；第二PMOS管的栅极接第三电阻的第二端，源极接输出电压V_OUT；负载电阻的第一端接输出电压V_OUT，第二端接地GND；第二PMOS管的漏极接第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的漏极接自身栅极，源极接地GND；第一NMOS管的栅极接第二NMOS管的栅极，第二NMOS管的源极接地GND，漏极接第三PMOS管的漏极，第三PMOS管的漏极接第三PMOS管的栅极，第三PMOS管的源极接输入电压V_IN，第四PMOS管的源极接输入电压V_IN，第四PMOS管的栅极接第三PMOS管的栅极，第四PMOS管的漏极接第三NMOS管的漏极，第三NMOS管的栅极接电压偏置V_REF，源极接恒流源的第一端，恒流源的第二端接地GND。

在一种实施方式中，所述误差放大器包括第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第三电容、第四电容；其中，