[发明专利]晶圆快速热处理工艺的工艺温度控制方法和装置有效
| 申请号： | 202310051377.9 | 申请日： | 2023-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN115863223B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 阮正华;孙文彬 | 申请（专利权）人： | 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G05D23/30 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 赵兴 |
| 地址： | 226400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种晶圆快速热处理工艺的工艺温度控制方法和装置，所述方法包括：基于当前晶圆的实时工艺进度，获取预设温度采样节点对应的晶圆目标温度和晶圆实际温度，并生成目标温度曲线和实际温度曲线，基于目标温度曲线和实际温度曲线的斜率确定实际温度曲线的目标区段，在目标区段中不包括设备故障区段的情况下，基于目标区段对应的工艺阶段以及目标区段中目标点对应的斜率和温度差值确定控温参数异常区段，并对控温参数异常区段对应的目标控温参数进行调节，基于调节后的控温参数对后续晶圆快速热处理工艺的工艺温度进行自动控制，能够在快速热处理工艺过程中自动进行温度误差校正，提高工艺温度的控制精度，保证晶圆的工艺质量和工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 热处理 工艺 温度 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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