[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 202310049412.3 | 申请日： | 2023-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN116805570A | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 西田政哉;绀野光太郎;池谷谦 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/52;C23C16/455;C23C16/36;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及计算机可读取的记录介质。本发明能够提高对形成于衬底上的膜的厚度的控制性。本发明具有：(a)在收容于处理容器内的衬底上形成第1膜的工序；和(b)重复对收容于处理容器内的衬底供给处理气体的循环，从而在衬底上形成与第1膜组成不同的第2膜的工序，其中，在处理容器内的部件的最表面附着有第2膜的第2状态下进行(b)的情况下，将循环的重复进行规定的m次，在处理容器内的部件的最表面附着有第1膜的第1状态下进行(b)的情况下，将循环的重复进行与m次不同的m±次，或者，在进行于处理容器内的部件的最表面形成第2膜的预涂布工序之后，将循环的重复进行m次。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 半导体器件 制造 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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