[发明专利]一种GaN HEMT低温无金欧姆接触的制备方法在审
| 申请号： | 202310046372.7 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116093147A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏;姚一平;杨继业;潘嘉;黄璇;张同博 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN HEMT低温无金欧姆接触的制备方法，包括提供衬底，在衬底上依次形成缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，在GaN沟道层和AlGaN势垒层之间形成有二维电子气沟道；利用离子注入形成器件隔离区域；在AlGaN势垒层上方淀积介质层，并利用光刻技术在介质层上定义源漏刻蚀图形区域；采用ICP刻蚀工艺将源漏刻蚀图形区域的介质层和AlGaN势垒层完全刻蚀去除，并采用ALE刻蚀工艺刻蚀至二维电子气沟道界面处；淀积欧姆金属，通过剥离工艺形成源漏电极，并进行退火处理形成欧姆接触。本发明通过采用ICP刻蚀将AlGaN势垒层全部刻蚀，并采用ALE刻蚀至2DEG界面处，有效改善了欧姆金属填充效果，形成良好的欧姆接触形貌，并且减小界面损伤，降低表面缺陷密度，提高了欧姆接触性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 低温 欧姆 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
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