[发明专利]一种新型MEMS多维气体传感器芯片及其制备工艺在审
| 申请号： | 202310030595.4 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN115931982A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 马博;朱赛宁;彭时秋;王涛;吴建伟;张世权;陈培仓 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及传感电路技术领域，特别涉及一种新型MEMS多维气体传感器芯片及其制备工艺，包括加热单元、光激发单元和气敏单元；加热单元包括衬底层、钝化介质层一、多晶硅淀积层、发热电阻、隔离沟道和钝化介质层二；衬底层的顶部由下至上依次铺设有钝化介质层一和多晶硅淀积层，在多晶硅淀积层上离子注入有发热电阻，同时在多晶硅淀积层上刻蚀有隔离沟道，多晶硅淀积层的顶部铺设有钝化介质层二，并且将隔离沟道进行填充和对发热电阻进行覆盖。基于气敏材料对不同浓度、不同成分的气体在不同的温度和光照条件组合下产生成不同感应电信号的原理，对复杂气体环境实现多维度气体传感数据的采集功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 mems 多维 气体 传感器 芯片 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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