[发明专利]一种面内零空位缺陷高熵纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310015574.5 | 申请日： | 2023-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN116143173A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张玲洁;蔡伟炜;暴宁钟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G41/00 | 分类号： | C01G41/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 周世骏 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及新材料领域，旨在提供一种面内零空位缺陷高熵纳米片及其制备方法。本发明所述面内零空位缺陷高熵纳米片，其产品外观呈粉体状，其微观结构显示为不规则的纳米片结构，单层纳米片结构的厚度为10～20nm；该纳米片的分子式为(La |
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| 搜索关键词： | 一种 面内零 空位 缺陷 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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