[发明专利]图像传感器装置、图像传感器设备和用于运行图像传感器装置的方法在审
申请号: | 202280011207.1 | 申请日: | 2022-03-02 |
公开(公告)号: | CN116745917A | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 阿迪·查哈科尼;科尔内留-米哈伊·托贝斯库 | 申请(专利权)人: | AMS传感器比利时有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 陈方鸣 |
地址: | 比利时*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种图像传感器装置(1),包括:第一传感器层(2),包括第一组像素(3),第一组的每个像素(3)包括光电二极管(14,15,16,17),被配置为检测第一波长范围内的电磁辐射。其还包括:第二传感器层(4),包括第二组像素(5),第二组的每个像素(5)包括光电二极管(13),被配置为检测第二波长范围内的电磁辐射。其还包括:读出层(6),包括被配置从第一组和第二组的像素(3,5)读出电信号的读出电路(7)。第二传感器层(4)被布置在第一传感器层(2)与读出层(6)之间。第二波长范围在能够由第一传感器层(2)检测的波长范围之外。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 装置 设备 用于 运行 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AMS传感器比利时有限公司,未经AMS传感器比利时有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202280011207.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的