[实用新型]一种MPCVD腔体结构有效
申请号: | 202223143879.4 | 申请日: | 2022-11-25 |
公开(公告)号: | CN219260195U | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 王东海;沈永春;何益隆;吴俊;周春煦 | 申请(专利权)人: | 江苏弘远晶体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511 |
代理公司: | 合肥市都耒知识产权代理事务所(普通合伙) 34227 | 代理人: | 邱丹 |
地址: | 226500 江苏省南通市如皋市城南街*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种MPCVD腔体结构,包括支撑台、腔体、微波发生装置、进气管、阀门、出气管、滑板、密封盖板、支撑座、衬底基座和连接杆。本实用新型的有益效果是:首先通入气体,随后启动微波发生装置,在微波的激励下,在反应室内产生辉光放电,使反应气体的分子离化,产生等离子体,在衬底基座上沉积得到产品金刚石,随后为了便于快速取出产品,只需通过驱动滑板滑动,进而滑板带动密封盖板向顶部运动,便于打开腔体,同时密封盖板带动连接杆和衬底基座一起向顶部运动,便于将衬底基座和产品移出至腔体外,方便在取出产品时,避免腔体过热导致烫伤,同时衬底基座位于腔体的外侧,方便单独快速散热,方便快速拿取产品,使用方便。 | ||
搜索关键词: | 一种 mpcvd 结构 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的