[实用新型]一种晶体硅电池减反射钝化膜的装置有效
申请号: | 202223103377.9 | 申请日: | 2022-11-22 |
公开(公告)号: | CN218939715U | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 范新源;孙大朝;向思程;黄子航 | 申请(专利权)人: | 江苏龙恒新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04 |
代理公司: | 北京众泽信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11701 | 代理人: | 吕昕炜 |
地址: | 223802 江苏省宿迁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用涉及打磨装置领域,且公开了一种晶体硅电池减反射钝化膜的装置,其包括夹持组件和打磨组件,夹持组件包括底板,底板的顶端开设有滑槽,且底板的顶端通过滑槽对称卡合滑动连接有两个夹板;底板上还设置有用于驱动两个夹板沿滑槽同时相互靠近或是相互远离的移动机构;打磨组件包括固定在底板两侧多个竖板,竖板的内侧开设有竖槽,多个竖板之间通过竖槽卡合滑动连接有一顶板。本实用在移动机构的作用下可驱动两个夹板同时相互靠近将硅电池夹持固定,然后,通过调节机构的作用可改变顶板的高度,即通过顶板改变磨盘的高度,使得磨盘可以贴住硅电池的顶端,最后,在驱动机构的作用下即可驱动圆杆带动磨盘进行转动打磨,去除硅电池表面的坑洼。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 电池 反射 钝化 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的