[实用新型]一种生长设备有效
| 申请号： | 202222893075.X | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN218621127U | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张乃霁;李翔 | 申请（专利权）人： | 深圳腾睿微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526 | 代理人： | 王攀 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种生长设备，包括坩埚，坩埚为直筒状，其内包括自上至下依次排布的晶体生长腔、气体缓冲腔及硅源补充腔；坩埚内设置有多孔隔板及开合机构，多孔隔板设置于晶体生长腔与气体缓冲腔之间，开合机构设置于气体缓冲腔及硅源补充腔之间；坩埚外设置有第一加热构件及第二加热构件，第一加热构件对应生长腔及气体缓冲腔设置，第二加热构件对应硅源补充腔设置。在出现富碳状态时，开启第二加热构件，对硅源补充腔内的硅材料进行加热升华，同时打开开合机构，升华的硅材料经开合机构进入到气体缓冲腔中；第一加热构件使硅材料达到与晶体生长腔相同的温度，再通过多孔隔板缓释进晶体生长腔内，进而达到补充硅的目的，提升晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 设备 | ||
【主权项】：
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