[实用新型]温度梯度法生长晶体的气体集束装置有效
| 申请号： | 202222709643.6 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN218711021U | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 叶晓达;赵兴凯;李世强;柳廷龙;韦华;王顺金;韩家贤;魏荣贤;李国芳 | 申请（专利权）人： | 云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/44;C30B29/10 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 施建辉 |
| 地址： | 650000 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 温度梯度法生长晶体的气体集束装置，涉及半导体材料制备技术领域。本实用新型包括晶体生长装置、高压气体供应装置、进气支路和放气支路，高压气体供应装置与进气支路连接，数个晶体生长装置并联在进气支路和放气支路上。本实用新型将原本每台生长炉旁的高压气罐集中放置，当高压气罐内气体余量不足时，可集中或单独更换气体；通过供气调压阀控制进气支管内的气压，通过进气调压阀控制生长炉内的气压，使生长炉在工作过程中平稳有效地补充气体；在晶体生长过程中，充入生长炉内的气体，先经过加热炉预热，而后缓慢补充至生长炉内，使炉内的热场更为稳定，避免了温度较低的气体直接进入生长炉。 | ||
| 搜索关键词： | 温度梯度 生长 晶体 气体 集束 装置 | ||
【主权项】：
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