[实用新型]温度梯度法生长晶体的气体集束装置有效
| 申请号： | 202222709643.6 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN218711021U | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 叶晓达;赵兴凯;李世强;柳廷龙;韦华;王顺金;韩家贤;魏荣贤;李国芳 | 申请（专利权）人： | 云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/44;C30B29/10 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 施建辉 |
| 地址： | 650000 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 温度梯度 生长 晶体 气体 集束 装置 | ||
1.一种温度梯度法生长晶体的气体集束装置，其特征在于该集束装置包括晶体生长装置、高压气体供应装置、进气支路（5）和放气支路（6），高压气体供应装置与进气支路（5）连接，数个晶体生长装置并联在进气支路（5）和放气支路（6）上；高压气体供应装置包括气罐集束架（1）、高压气罐（2），晶体生长装置包括加热炉（12）和生长炉（11）；气罐集束架（1）为方形架，数罐高压气罐（2）放置在气罐集束架（1）内，数罐高压气罐（2）并联在进气支路（5）上，加热炉（12）通过气体管道与进气支路（5）、放气支路（6）连接，生长炉（11）通过气体管道与加热炉（12）连接。
2.如权利要求1所述的温度梯度法生长晶体的气体集束装置，其特征在于所述的数罐高压气罐（2）上设置有压力计（3）。
3.如权利要求1所述的温度梯度法生长晶体的气体集束装置，其特征在于所述的高压气体供应装置上还设置有供气调压阀（4），供气调压阀（4）安装在高压气体供应装置与进气支路（5）的气体管道上。
4.如权利要求1所述的温度梯度法生长晶体的气体集束装置，其特征在于所述的加热炉（12）与进气支路（5）连接的气体管道上设置有气流开关阀（9）和进气调压阀（8）。
5.如权利要求1所述的温度梯度法生长晶体的气体集束装置，其特征在于所述的加热炉（12）与放气支路（6）的气体管道上设置有气流开关阀（9）和流量调节阀（10）。
6.如权利要求1所述的温度梯度法生长晶体的气体集束装置，其特征在于所述的集束装置还设置有抽气支路（7）和真空泵（13），真空泵（13）与抽气支路（7）连接，抽气支路（7）通过气体管道与加热炉（12）连接，抽气支路（7）与加热炉（12）连接的气体管道上设置有气流开关阀（9）。
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