[实用新型]一种复合沟槽型肖特基二极管器件有效

专利信息
申请号: 202222680748.3 申请日: 2022-10-11
公开(公告)号: CN218632054U 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 张小辛;李秋梅;艾治州 申请(专利权)人: 华润微电子(重庆)有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 刘星
地址: 401331 *** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种复合沟槽型肖特基二极管器件,该器件包括衬底、外延层、沟槽结构阵列、肖特基金属层、正面金属电极层及背面金属电极层,其中,外延层位于衬底的正面;沟槽结构阵列位于外延层中并包括多个排列成至少两行及至少两列的沟槽结构阵列单元,每个沟槽结构阵列单元包括多个相互平行且间隔设置的线型沟槽结构,相邻两个沟槽结构阵列单元中的线型沟槽结构的延伸方向互相垂直;肖特基金属层位于外延层的正面并覆盖线型沟槽结构;正面金属电极层位于肖特基金属层上;背面金属电极层位于衬底的背面。本实用新型的复合型沟槽器件设计可以有效改善晶圆翘曲问题,降低器件位错等缺陷,同时可进一步改善电场分布,有助于提高器件稳定性。
搜索关键词: 一种 复合 沟槽 型肖特基 二极管 器件
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华润微电子(重庆)有限公司,未经华润微电子(重庆)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202222680748.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top