[实用新型]一种复合沟槽型肖特基二极管器件有效
| 申请号： | 202222680748.3 | 申请日： | 2022-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN218632054U | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张小辛;李秋梅;艾治州 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种复合沟槽型肖特基二极管器件，该器件包括衬底、外延层、沟槽结构阵列、肖特基金属层、正面金属电极层及背面金属电极层，其中，外延层位于衬底的正面；沟槽结构阵列位于外延层中并包括多个排列成至少两行及至少两列的沟槽结构阵列单元，每个沟槽结构阵列单元包括多个相互平行且间隔设置的线型沟槽结构，相邻两个沟槽结构阵列单元中的线型沟槽结构的延伸方向互相垂直；肖特基金属层位于外延层的正面并覆盖线型沟槽结构；正面金属电极层位于肖特基金属层上；背面金属电极层位于衬底的背面。本实用新型的复合型沟槽器件设计可以有效改善晶圆翘曲问题，降低器件位错等缺陷，同时可进一步改善电场分布，有助于提高器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 沟槽 型肖特基 二极管 器件 | ||
【主权项】：
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