[实用新型]一种混合栅型GaN基的高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 202222280818.6 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN218274610U | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡丽娥;黄金满;陈志超 | 申请（专利权）人： | 厦门安麦信自动化科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/38 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 罗金元 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种混合栅型GaN基的高电子迁移率晶体管，包括自下而上设置的SiC衬底、AIN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层。在AlGaN势垒层的上表面蚀刻有凹槽，凹槽内设置有P帽层，P帽层凸出于AlGaN势垒层的上表面且低于钝化层的上表面。钝化层避开了凹槽及凹槽上方的空间，AlGaN势垒层中Al组分由钝化层至GaN沟道层方向从0.3渐变至0.24，使AlGaN势垒层与GaN沟道层的接触界面的晶格失配减小，从而使得极化电荷减小，进而提高了高电子迁移率晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 gan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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