[实用新型]一种面向氮化镓晶体管的半桥负压驱动电路有效

专利信息
申请号: 202222152358.9 申请日: 2022-08-16
公开(公告)号: CN218587070U 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 高圣伟;田金锐;牛萍娟 申请(专利权)人: 天津工业大学
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/088;H02M1/00;H03K17/041;H03K17/16;H03K17/56
代理公司: 天津英扬昊睿专利代理事务所(普通合伙) 12227 代理人: 吴扬
地址: 300000 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型提供一种面向氮化镓晶体管的半桥负压驱动电路,其特征在于包括第一驱动回路中的第一信号放大电路、第一负压产生电路以及第二驱动回路中的第二信号放大电路、第二负压产生电路;相对于传统的氮化镓驱动电路,本实用新型能够在氮化镓关断时,以小于零的驱动电压使其快速关断,且为半桥电路的串扰电流提供了一条低阻抗回路,有效的抑制了电压尖峰,提高了半桥电路的抗干扰性,从而有效的保证了氮化镓晶体管开关过程的稳定性。
搜索关键词: 一种 面向 氮化 晶体管 半桥负压 驱动 电路
【主权项】:
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