[实用新型]基站用高集成射频前端芯片及基站用射频前端有效

专利信息
申请号: 202221233716.2 申请日: 2022-05-23
公开(公告)号: CN217159697U 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 李凡龙 申请(专利权)人: 绍兴圆方半导体有限公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04B1/401
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及一种基站用高集成射频前端芯片及基站用射频前端,基站用高集成射频前端芯片包括:输入端口与输出端口,来自基站天线的射频信号经输出端口被发送至收发信机的反馈通道;放大器,用于对射频信号进行放大处理;第一射频开关,连接于输入端口,用于与放大器以及负载元件可切换地连接;第二射频开关,连接于输出端口,用于与放大器以及发射通道可切换地连接,第一射频开关与放大器的第一端连接,第二射频开关与放大器第二端连接时,建立第一反馈检测通道;第一射频开关与负载元件连接,第二射频开关与发射通道连接时,建立第二反馈检测通道。本实用新型有利于降低基站用射频前端的成本。
搜索关键词: 基站 集成 射频 前端 芯片
【主权项】:
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