[实用新型]SiC MOSFET的保护电路有效
| 申请号： | 202221194725.5 | 申请日： | 2022-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN218386794U | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 赵凤俭 | 申请（专利权）人： | 飞锃半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20;H02H3/093;H02H3/10;H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 樊文娜;刘荣娟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请技术方案提供一种SiC MOSFET的保护电路，包括：输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号并输出，还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号；输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑控制模块电连接，并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大，并输出至所述SiC MOSFET；短路检测模块，与所述输出侧逻辑控制模块以及所述SiC MOSFET的漏极电连接，并被配置为接收所述控制信号并获得参考电压信号，同时获取所述SiC MOSFET的漏源电压信号，且基于所述漏源电压信号和所述参考电压信号向所述输出侧逻辑控制模块输出检测结果信号。本申请技术方案的保护电路能够对SiC MOSFET所在电路进行动态短路监测。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 保护 电路 | ||
【主权项】：
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