[实用新型]一种等离子体刻蚀装置有效
| 申请号： | 202221129152.8 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN218241765U | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 张德培 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/05 | 分类号： | H01J37/05;H01J37/305;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京恒博知识产权代理有限公司 11528 | 代理人： | 张琦 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种等离子体刻蚀装置，包括反应室以及多个直流线圈，反应室包括支撑件，支撑件具有能够承载晶圆的承载面，直流线圈位于承载面的上方，且与电源电性连接直流线圈围成一圈沿晶圆的边缘依次排布，且直流线圈在水平面上的投影的一部分位于晶圆在该水平面上的投影的内部；该装置能够将对应于晶圆边缘位置的倾斜的等离子体偏移出晶圆边缘范围内；同时位于晶圆边缘位置且垂直晶圆表面的等离子体可以对晶圆边缘位置进行刻蚀，以保证沟道孔的延伸方向与等离子体的运动方向一致，进而提高晶圆刻蚀的有效性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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