[实用新型]一种基于低温非金欧姆接触工艺的p-GaN器件有效
| 申请号： | 202220867422.9 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN217468439U | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 郑理;尤天刚 | 申请（专利权）人： | 苏州沣芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/201 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 王静思 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇华*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于低温非金欧姆接触工艺的p‑GaN器件，所述的p‑GaN器件包括自下而上堆叠设置的衬底、GaN缓冲层、沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN层；其特征在于：在经刻蚀处理的P‑GaN层的上表面沉积设置有第一钝化层；在源漏区域的GaN部分刻蚀出的凹槽内分别对称设置有源极和漏极欧姆接触；所述的p‑GaN器件边缘经刻蚀设置有Mesa隔离；所述的Mesa隔离、第一钝化层及源极和漏极欧姆接触上沉积设置有第二钝化层；在经刻蚀处理的P‑GaN层的上表面抵触沉积设置有栅极金属；在刻蚀的源漏区域的第二钝化层内沉积设置有厚金属。基于低温非金欧姆接触工艺的p‑GaN器件,可有效降低工艺成本、避免金污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 低温 欧姆 接触 工艺 gan 器件 | ||
【主权项】：
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