[实用新型]一种基于低温非金欧姆接触工艺的p-GaN器件

权利要求书

1.一种基于低温非金欧姆接触工艺的p-GaN器件，所述的p-GaN器件包括自下而上堆叠设置的衬底、GaN缓冲层、沟道层、AlGaN势垒层、p-GaN层；其特征在于：在经刻蚀处理的P-GaN层的上表面沉积设置有第一钝化层；在源漏区域的GaN部分刻蚀出的凹槽内分别对称设置有源极和漏极欧姆接触；

所述的p-GaN器件边缘经刻蚀设置有Mesa隔离，所述的Mesa隔离的刻蚀深度进入沟道层150-300nm；所述的Mesa隔离、第一钝化层及源极和漏极欧姆接触上沉积设置有第二钝化层；

在经刻蚀处理的P-GaN层的上表面抵触沉积设置有栅极金属；

在刻蚀的源漏区域的第二钝化层内沉积设置有厚金属，所述的厚金属分别与所述的源极和漏极欧姆接触、栅极金属的上表面相互抵触。

2.根据权利要求1所述的一种基于低温非金欧姆接触工艺的p-GaN器件，其特征在于：所述的第一钝化层的钝化层材料包括SiO₂、SiN、AlN、Al₂O₃中的一种或任意几种形成的叠层；所述的源极和漏极欧姆接触的金属包括Ti、Al、Ni、TiN或W。

3.根据权利要求1所述的一种基于低温非金欧姆接触工艺的p-GaN器件，其特征在于：所述的第二钝化层的钝化层材料包括SiO₂、SiN、AlN、Al₂O₃中的一种或任意几种形成的叠层。

4.根据权利要求1所述的一种基于低温非金欧姆接触工艺的p-GaN器件，其特征在于：所述的栅极金属包括Ni、Al、TiN中的一种或任意几种形成的合金或任意几种形成的叠层。

5.根据权利要求1所述的一种基于低温非金欧姆接触工艺的p-GaN器件，其特征在于：所述的厚金属，其材料包括Ti、Al、Ni、TiN、Ag中的一种或任意几种形成的合金或任意几种形成的叠层。

6.根据权利要求1所述的一种基于低温非金欧姆接触工艺的p-GaN器件，其特征在于：所述的厚金属表面设置有第三钝化层；所述的第三钝化层，钝化层材料包括SiO₂、SiN、AlN、Al₂O₃中的一种或任意几种形成的叠层。

7.根据权利要求1所述的一种基于低温非金欧姆接触工艺的p-GaN器件，其特征在于：所述的衬底为Si或蓝宝石；所述的GaN缓冲层，其中掺杂C或Fe。