[实用新型]一种ALD镀膜设备的真空结构及ALD镀膜设备有效
申请号: | 202220660730.4 | 申请日: | 2022-03-25 |
公开(公告)号: | CN216947194U | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 田玉峰 | 申请(专利权)人: | 厦门韫茂科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44 |
代理公司: | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 陈晓思 |
地址: | 361000 福建省厦门市软件*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种ALD镀膜设备的真空结构及ALD镀膜设备,涉及原子层沉积设备技术领域。其中,这种真空结构包含箱体组件和箱体组件。箱体组件包括设置有反应腔、供料孔和排料孔的工艺箱体。真空组件包括连通于排料孔的第一排料管、分别连通于第一排料管的第一真空阀和第二真空阀、接合于第一真空阀的第一真空泵,以及接合于第二真空阀的第二真空泵。其中,第一真空泵和第二真空泵分别用以抽取第一种前驱体和第二种前驱体。通过第一真空泵和第二真空泵分别通过排料管抽取反应腔内的前驱体A和前驱体B,从而避免了前驱体A和前驱体B在真空泵中发生反应,大大延长了真空结构的使用寿命,具有很好的实际意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 ald 镀膜 设备 真空 结构 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的