[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 202220267869.2 | 申请日： | 2022-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN217086528U | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 吴汝筱;花鹏;周国强;张洪志;朱新建 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰集科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 甄丹凤 |
| 地址： | 361026 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：器件层；位于所述器件层上的金属层，所述金属层中具有凹槽，所述凹槽贯穿所述金属层并暴露出所述器件层的表面；位于所述金属层上的钝化层，所述钝化层覆盖所述金属层的表面，所述凹槽的侧壁及所述凹槽的底部的器件层的表面；其中，所述钝化层包括通过亚常压化学气相淀积形成的第一钝化层，所述钝化层还包括位于所述第一钝化层上的第二钝化层以及第三钝化层；所述第一钝化层、第二钝化层以及第三钝化层从下到上依次层叠设置。本实用新型的半导体器件在所述金属层的表面增加一层第一钝化层，所述第一钝化层通过亚常压化学气相淀积工艺形成，其沉积速率慢，故而所述第一钝化层具有良好的台阶覆盖性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
