[实用新型]一种深紫外封装器件有效
| 申请号： | 202220023161.2 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN215815932U | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 杨安稳;闫志超;黄小辉;李大超 | 申请（专利权）人： | 至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵丽恒 |
| 地址： | 102629 北京市大兴区中关村科技园区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种深紫外封装器件，涉及半导体封装技术领域，包括基板、正面焊盘、背面焊盘、芯片和透镜，正面焊盘固定于基板的上端面，背面焊盘固定于基板的下端面，基板上开设有连通孔，连通孔在基板的厚度方向上贯穿基板，且连通孔内固定有连接柱，连接柱的两端分别延伸至接触正面焊盘和背面焊盘，透镜的一侧开设有安装槽，透镜用于扣合并固定于正面焊盘上，且安装槽内用于安装芯片，芯片能够接触正面焊盘。该深紫外封装器件能够提高深紫外发光二极管芯片的深紫外线出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 封装 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司，未经至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202220023161.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
