[发明专利]一种片上光放大器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211728183.X | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115966989A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 谢臻达;贾琨鹏;赵泽兴 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01S3/063 | 分类号： | H01S3/063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;朱炎 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片上光放大器及其制备方法。片上光放大器包括光波导、光学隔离层、衬底和离子掺杂层，其中，所述离子掺杂层包括掺杂层介质和掺杂离子，所述光学隔离层位于所述衬底和所述离子掺杂层之间；所述离子掺杂层紧密包覆在所述光波导外部，或位于所述光波导和所述光学隔离层之间并与光波导紧密贴合。相比于传统的使用掺铒光纤放大器、离子掺杂波导等方式实现光放大而言，本发明可实现集成化、芯片化的光放大器，并具有CMOS兼容的特点，且无需对光波导器件进行掺杂即可实现光‑物质的相互作用，消除了离子直接掺杂引入光波导晶体结构缺陷的问题，保证了集成光子器件的色散、损耗等光学指标参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 上光 放大器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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