[发明专利]一种Mg3在审

专利信息
申请号: 202211726317.4 申请日: 2022-12-30
公开(公告)号: CN116103745A 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 林思琪;金敏;杨淼森;王相虎;李荣斌 申请(专利权)人: 上海电机学院
主分类号: C30B9/12 分类号: C30B9/12;C30B11/04;C30B11/00;C30B29/10
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 周一新
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种Mg3Sb2晶体材料的制备方法,采用坩埚下降法在助熔剂的协助作用下生长得到Mg3Sb2单晶材料,包括:选取高纯单质元素Mg、Sb、Bi、Y为起始原料,按Mg3Sb2Yx:(Sb/Bi)=1:1~5的摩尔比配料,Mg、Sb、Bi、Y依次放入高纯氮化硼坩埚中,坩埚放置于石英管内抽真空至10‑3‑10‑1Pa,封装,放入垂直布里奇曼生长炉中,炉温为800‑900℃,升温速率为50‑200℃/h,保温5‑15h,保证充分熔化均匀;石英管以0.2‑0.5mm/h的速度向下移动,当溶质在溶剂中达到饱和,晶体在坩埚内通过自发成核不断长大,获得高质量、大尺寸的Mg3Sb2单晶材料。
搜索关键词: 一种 mg base sub
【主权项】:
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