[发明专利]一种改善锂金属沉积行为的金属锂负极及制备方法在审
| 申请号： | 202211724832.9 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116190816A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 丁会彬;郎文棋;杨亦文;赵岳;杨明;张晶 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01M10/42 | 分类号： | H01M10/42;H01M4/62;H01M10/0525;H01M4/04;H01M4/139;H01M4/13 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种改善锂金属沉积行为的金属锂负极及制备方法，通过在有机聚合物膜的通孔及膜下添加亲锂位点，可以改善锂金属沉积行为；先将不同聚合物混合涂覆到金属锂负极表面，将其中一种聚合物去除，使得金属锂表面的聚合物涂层为通孔多孔状，再将亲锂物质涂覆，嵌入到聚合物涂层的孔道中，实现膜下添加亲锂位点的目的。本发明的有益效果是：通过本制备方法，能够诱导锂金属均匀形核长大，改变锂金属沉积方向，提高复合保护膜的离子电导率，同时达到抑制锂枝晶的生成与减少负极与电解液的直接接触引发的副反应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属 沉积 行为 负极 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所，未经中国电子科技集团公司第十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211724832.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于镀锌板涂装前的表面处理剂
- 下一篇：地质灾害监测预警响应方法及系统
