[发明专利]一种锆基吸气剂薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202211721674.1 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116219383A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 马占吉;周超;冯兴国;周晖;杨拉毛草;张延帅;贵宾华;胡汉军;郑玉刚 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;B81C1/00;C23C14/54;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 高会允 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锆基吸气剂薄膜制备方法，涉及表面工程技术领域，将锆基合金靶材溅射沉积在MEMS器件的内壁上形成锆基吸气剂薄膜，在真空封装过程中锆基吸气剂薄膜被激活，达到维持MEMS器件真空运行环境的目的。本发明的技术方案包括以下步骤：采用化学清洗剂对真空封装的基片表面进行超声清洗后，采用干燥气体对基片吹尖处理。将基片放置在真空室内工件托盘上，抽真空至一定真空度，工件托盘加热至一定温度，对基片进行真空除气处理。向真空室内通入惰性气体，打开偏压电源，同时打开离子源，对基片进行离子束活化；向真空室内通入惰性气体，打开锆Zr或钛Ti靶，在基片表面镀锆Zr或钛Ti过渡层。打开锆钴ZrCo合金靶，在过渡层上镀锆钴ZrCo合金薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸气 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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