[发明专利]一种锆基吸气剂薄膜制备方法

权利要求书

1.一种锆基吸气剂薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)：采用化学清洗剂对真空封装的基片表面进行超声清洗后，采用干燥气体对基片吹尖处理；

步骤(2)：将基片放置在真空室内工件托盘上，抽真空至一定真空度后，对工件托盘加热至一定温度，对基片进行真空除气处理；

步骤(3)：向真空室内通入惰性气体，打开偏压电源，同时打开离子源，对基片进行离子束活化；

步骤(4)：向真空室内通入惰性气体，打开锆Zr或钛Ti靶，在基片表面镀锆Zr或钛Ti过渡层；

步骤(5)：打开锆钴ZrCo合金靶，在过渡层上镀锆钴ZrCo合金薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种锆基吸气剂薄膜制备方法，其特征在于，所述基片为金属、半导体材料或陶瓷材质的基片。

3.根据权利要求1所述的一种锆基吸气剂薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤(1)：采用化学清洗剂对真空封装的基片表面进行超声清洗后，采用干燥气体对基片吹尖处理，具体为：采用分析纯无水乙醇或丙酮对基片表面进行化学清洗，采用纯净氮气对基片进行吹尖处理。

4.根据权利要求1所述的一种锆基吸气剂薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤(2)：将基片放置在真空室内工件托盘上，抽真空至一定真空度后，对工件托盘加热至一定温度，对基片进行真空除气处理，具体为：将所述基片固定在真空室内工件托盘上，对真空室抽真空至真空度优于5×10^-4Pa，打开加热器对工件托盘加热至120℃～140℃，对基片进行真空除气处理。

5.根据权利要求1所述的一种锆基吸气剂薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤(3)：向真空室内通入惰性气体，打开偏压电源，同时打开离子源，对基片进行离子束活化，具体为：保持真空度为2×10^-2Pa～5×10^-2Pa；打开偏压电源，将偏压调节为－100V～－200V；同时打开离子源，设定工作电压为2.0kV～3.0kV，离子束活化时间为20min～30min，对基片进行离子束活化处理。

6.根据权利要求1所述的一种锆基吸气剂薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤(4)：向真空室内通入惰性气体，打开锆Zr或钛Ti靶，在基片表面镀锆Zr或钛Ti过渡层，具体为：

向真空室内通入惰性气体，保持真空度为5×10^-1Pa～10Pa；打开锆Zr或钛Ti靶，设定溅射功率为200W～500W，镀锆Zr或钛Ti过渡层5min～10min。

7.根据权利要求1所述的一种锆基吸气剂薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤(5)：打开锆钴ZrCo合金靶，在过渡层上镀锆钴ZrCo合金薄膜，具体为：

打开ZrCo合金靶，所述锆钴ZrCo合金靶中各元素含量分别为：Zr元素含量占68％～88％，Co元素含量占10％～24％，其余合金元素含量占2％～10％，设定溅射功率为200W～500W，镀ZrCo合金薄膜累积20min～30min，完成ZrCo合金吸气剂薄膜沉积。