[发明专利]单晶硅基类复合绒面结构的制备方法在审

专利信息
申请号: 202211698525.8 申请日: 2022-12-28
公开(公告)号: CN116364793A 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 钱洪强;周海龙;张俊巍;李怡洁;王晓蕾 申请(专利权)人: 苏州腾晖光伏技术有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 代理人: 彭益波
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种单晶硅基类复合绒面结构的制备方法,包括:采用P型单晶硅片做单晶硅基底,在所述单晶硅基底正表面进行各向异性刻蚀,得到分布均匀的类倒金字塔结构或金字塔结构或倒金字塔结构或他凹坑结构作为绒面;将具有绒面的硅片放入扩散炉中进行分步式扩散;所述分步式扩散包括温度依次升高条件下的磷源沉积和至少两个梯度的降温程序;在所述绒面的表面上制备硅纳米层,形成复合绒面结构。本发明通过制备复合绒面提高表面粗糙度,并基于纳米材料的量子尺寸效应,大幅度提高太阳能电池对可见光和紫外光的吸收和利用率,从而提高太阳能电池效率。
搜索关键词: 单晶硅 复合 结构 制备 方法
【主权项】:
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