[发明专利]单晶硅基类复合绒面结构的制备方法在审
申请号: | 202211698525.8 | 申请日: | 2022-12-28 |
公开(公告)号: | CN116364793A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 钱洪强;周海龙;张俊巍;李怡洁;王晓蕾 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 彭益波 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种单晶硅基类复合绒面结构的制备方法,包括:采用P型单晶硅片做单晶硅基底,在所述单晶硅基底正表面进行各向异性刻蚀,得到分布均匀的类倒金字塔结构或金字塔结构或倒金字塔结构或他凹坑结构作为绒面;将具有绒面的硅片放入扩散炉中进行分步式扩散;所述分步式扩散包括温度依次升高条件下的磷源沉积和至少两个梯度的降温程序;在所述绒面的表面上制备硅纳米层,形成复合绒面结构。本发明通过制备复合绒面提高表面粗糙度,并基于纳米材料的量子尺寸效应,大幅度提高太阳能电池对可见光和紫外光的吸收和利用率,从而提高太阳能电池效率。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 复合 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州腾晖光伏技术有限公司,未经苏州腾晖光伏技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211698525.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:超表面单元、阵列及超表面单元的调幅调相方法
- 下一篇:一种半弧面零件加工机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的