[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211660410.X | 申请日： | 2022-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN116031302A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘丽宾 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 王曌寅 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括电容结构，电容结构包括第一电极、与第一电极相对的第二电极和位于第一电极和第二电极之间的栅介质，其中，第一电极的中间部分的第一厚度小于外围部分的第二厚度且第一厚度与所第二厚度之间的差大于厚度差阈值，使得第一电极在中间部分形成凹槽；凹槽的开口与第二电极相对，凹槽的第一宽度大于等于第二电极的第二宽度。如此，既可以通过增大上下极之间的距离减少电容，又不会对半导体器件的高度或电学性能产生影响，从而使得半导体器件取得较佳的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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