[发明专利]一种准互补乙类输出级电路结构在审
| 申请号： | 202211658955.7 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN115833766A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 员瑶;郭秦岭;尤路;肖筱 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F1/30 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路设计领域，具体为一种准互补乙类输出级电路结构，在三极管Q1的集电极C与输出功率上拉管内的三极管Q2的基极B之间加入三极管QP，其与三极管Q1共射结构可形成渥尔曼电路，其高频特性更好，可以弥补双极工艺中pnp管频率特性差对运算放大器工作频率带来的影响。三极管QP的基极B输入可自由偏置。该结构可兼容含JFET工艺双极工艺，三极管Q3可用JFET管代替，同时将二极管Q5或二极管Q6替换为一个二极管连接方式的JFET管，减小温度影响，得到与温度无关的旁路电流，三极管Q4的发射极与基极间加入反馈电阻可提高高频下开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互补 乙类 输出 电路 结构 | ||
【主权项】：
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