[发明专利]一种准互补乙类输出级电路结构

权利要求书

1.一种准互补乙类输出级电路结构，其特征在于，包括电源电压VCC、模拟地信号GND、输出信号Vout、偏置电路(1)、渥尔曼电路(2)、电压偏置电路(3)、共源放大级电路(4)、输出功率上拉管(5)和输出复合pnp功率下拉管(6)；所述偏置电路(1)的一端连接电源电压VCC，另一端接地；所述渥尔曼电路(2)的一端连接电源电压VCC，另一端与电压偏置电路(3)的一端串联，电压偏置电路(3)的另一端与共源放大级电路(4)的一端串联，共源放大级电路(4)的另一端连接至模拟地信号GND；所述输出功率上拉管(5)的一端连接至电源电压VCC；输出功率上拉管(5)的另一端串联至输出复合pnp功率下拉管(6)的一端，复合pnp功率下拉管(6)的另一端连接至模拟地信号GND，所述渥尔曼电路(2)的一端连接至偏置电路(1)上，输出功率上拉管(5)连接至渥尔曼电路(2)和电压偏置电路(3)之间。

2.根据权利要求1所述的一种准互补乙类输出级电路结构，其特征在于，所述偏置电路1包括二极管D0和电阻R；所述二极管D0的阳极连接至电源电压VCC，二极管D0的阴极分别连接至电阻R的正端和渥尔曼电路(2)，所述电阻R的负端接地。

3.根据权利要求2所述的一种准互补乙类输出级电路结构，其特征在于，所述渥尔曼电路(2)包括三极管Q1和三极管QP；所述三极管Q1的发射极E连接电源电压VCC，三极管Q1的集电极C连接三极管QP的发射极E；三极管Q1的基极B连接至二极管D0的阴极；所述三极管QP的集电极C连接分别连接输出功率上拉管(5)和电压偏置电路(3)；三极管QP的基极B连接Vf输入信号。

4.根据权利要求3所述的一种准互补乙类输出级电路结构，其特征在于，所述三极管QP的基极B可根据运放前级结构接入偏置信号或自偏置，根据输出饱和高电平指标，三极管QP的基极B电位可偏置至适用电位点。

5.根据权利要求3所述的一种准互补乙类输出级电路结构，其特征在于，所述输出功率上拉管(5)包括三极管Q2，所述三极管Q2的基极B连接至三极管QP的集电极C，三极管Q2的集电极C连接至电源电压VCC，三极管Q2的发射极E连接至输出信号Vout。

6.根据权利要求3所述的一种准互补乙类输出级电路结构，其特征在于，所述电压偏置电路(3)包括二极管Q5和二极管Q6；所述二极管Q5的阳极连接至三极管QP的集电极C，二极管Q5的阴极连接至二极管Q6的阳极；所述二极管Q6的阴极分别连接至共源放大级电路(4)和输出复合pnp功率下拉管(6)。

7.根据权利要求6所述的一种准互补乙类输出级电路结构，其特征在于，所述共源放大级电路(4)包括三极管Q7；所述三极管Q7的基极B连接Vb输入信号，三极管Q7的集电极C连接二极管Q6的阴极；三极管Q7的发射极E连接模拟地信号GND。

8.根据权利要求6所述的一种准互补乙类输出级电路结构，其特征在于，所述输出复合pnp功率下拉管(6)包括三极管Q3和三极管Q4；所述三极管Q3的基极B连接至二极管Q6的阴极；三极管Q3的集电极C连接三极管Q4的基极B；三极管Q3的发射极E连接至输出信号Vout；三极管Q4的集电极C连接输出信号Vout，三极管Q4的发射极E连接模拟地信号GND。