[发明专利]集成电路和静态随机存取存储器（SRAM）在审
| 申请号： | 202211649713.1 | 申请日： | 2022-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN116419561A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 崔训诚;李旼旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00;G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 马晓蒙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及集成电路和静态随机存取存储器。在一实施方式中，一种集成电路包括第一n型金属氧化物半导体(NMOS)区、第二NMOS区、在第一NMOS区和第二NMOS区之间的第一p型MOS(PMOS)区、在第一PMOS区和第二NMOS区之间的第二PMOS区、以及在第一方向上延伸并将第一NMOS区联接到第一PMOS区的第一有源桥。第一有源桥的水平与第一传输晶体管的第一电极的水平、第一传输晶体管的第二电极的水平、第一下拉晶体管的第一电极的水平、第一下拉晶体管的第二电极的水平、第一上拉晶体管的第一电极的水平和第一上拉晶体管的第二电极的水平相同。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 静态 随机存取存储器 sram | ||
【主权项】：
暂无信息
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