[发明专利]一种利用中空介电体降低电场畸变的方法有效
| 申请号： | 202211647334.9 | 申请日： | 2022-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN115966408B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 宋玉哲;韩根亮;张彪;毛国柱 | 申请（专利权）人： | 天津大学;甘肃省科学院传感技术研究所 |
| 主分类号： | H01G5/013 | 分类号： | H01G5/013;B81B7/02;H01G5/00 |
| 代理公司： | 北京维创华成知识产权代理事务所(普通合伙) 16094 | 代理人： | 徐敏杰 |
| 地址： | 300110*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用中空介电体降低电场畸变的方法，包括：将传感器上极板和下极板间的实心介电体替换为中空介电体，以降低介电体表面的额外电场梯度和电场畸变。本发明利用中空介电体结构代替实心介电体的方法，来降低介电体表面的额外电场梯度和电场畸变。从而改善介电体的额外电场产生的场致发射、自由电子导致的反应、电荷积累、介电电泳等恶劣结果。最终降低MEMS器件工作状态的漂移和不稳定性，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 中空 介电体 降低 电场 畸变 方法 | ||
【主权项】：
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