[发明专利]一种高边NMOS浮地驱动电路有效
| 申请号： | 202211645241.2 | 申请日： | 2022-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN115622548B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张妹雄;王萌;张明杰;欧家茂 | 申请（专利权）人： | 无锡明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082;H03K17/687;H02M3/07 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214026 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高边NMOS浮地驱动电路，属于电子电路领域。浮地产生电路、高压浮地时钟产生电路和自适应三级电荷泵产生VIN+12V的电源VDD_chg，VDD_gate产生电路和GATE驱动电源产生电路产生自适应驱动电压GATE，GATE电压跟随输出OUT变化，避免在启动过程中栅源电压Vgs突变而产生很大的瞬态电流。本发明采用自举电荷泵原理，在不采用外部BOOST电容下，可轻松驱动高端NMOS功率管；功率管NMOS的栅极电压自适应跟随源端电压，从而避免了启动/工作过程中由于栅极/源极电压不同步造成的输出电流跳变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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