[发明专利]高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211631352.8 | 申请日： | 2022-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN116143543A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘海林;霍艳丽;黄小婷;郑英晗;杨泰生;贾志辉;王浩然;李荟;王华 | 申请（专利权）人： | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 张晓萍;刘铁生 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：1)制备第一碳化硅陶瓷生坯；所述第一碳化硅陶瓷生坯由纯度≥99.9％的碳化硅陶瓷颗粒和造孔剂组成；2)高温烧结，得到第二碳化硅陶瓷生坯；所述烧结的温度大于所述造孔剂的烧失温度；所述第二碳化硅陶瓷生坯中只含有碳化硅陶瓷颗粒一种成分；3)在所述第二碳化硅陶瓷生坯的孔壁和孔筋表面沉积碳化硅薄膜，将所述碳化硅陶瓷颗粒包覆其中，得到高纯度多孔碳化硅陶瓷。本发明所要解决的技术问题是如何提高多孔碳化硅陶瓷的纯度，使其纯度可以达到99.9％以上，强度达到50MPa，满足其在半导体产业中的晶圆处理、液晶面板处理和柔性屏处理中的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 多孔 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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