[发明专利]一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法在审
| 申请号： | 202211627632.1 | 申请日： | 2022-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN115826134A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张瑾;王敬好;王震;张潜;胡辰;李佳;张萌徕;储涛 | 申请（专利权）人： | 之江实验室 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/132 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 王剑 |
| 地址： | 311121 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书公开了一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法。首先，层间耦合器包括：硅衬底、二氧化硅包层、硅波导层、氮化硅层。硅长方体位于层间耦合器的一端，混合结构与硅长方体相连接，混合结构由硅锥体以及相同尺寸的各硅波导块排列组成，亚波长光栅结构与混合结构相连接，亚波长光栅结构由不同尺寸的各硅波导块排列组成，且远离硅长方体的硅波导块的尺寸小于靠近硅长方体的硅波导块的尺寸，氮化硅层包括氮化硅长方体以及氮化硅结构，氮化硅长方体位于层间耦合器的另一端，氮化硅结构与氮化硅长方体相连接，氮化硅结构中的远离氮化硅长方体的横截面积小于靠近氮化硅长方体的横截面积。本方法可以降低功率泄露，从而，提高耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耦合器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于之江实验室，未经之江实验室许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211627632.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：接水盘组件及空调机
- 下一篇：一种联合处理硫化铜选矿废水的方法
