[发明专利]兼容BCD深槽隔离制造工艺的垂直双扩散晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202211620917.2 | 申请日： | 2022-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN115831754A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 温建功;曹琳;刘青;郑丽君 | 申请（专利权）人： | 西安龙飞电气技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种兼容BCD深槽隔离制造工艺的垂直双扩散晶体管及其制造方法。具体为本发明提供了一种BCD工艺中利用深槽隔离将高压VDMOS与低压CMOS隔离的解决办法，隔离槽与VDMOS漏极电位引出槽通过负载效应一次性刻蚀生成两种不同深度的槽，隔离槽CD为漏极电位引出槽CD的1.5~2倍；同时本发明还提供了一种槽底氧化层刻蚀后填充外延工艺，槽底刻蚀掉氧化层然后填充外延后作为VDMOS漏极引出的结构。本发明使用深槽刻蚀工艺和槽底氧化层刻蚀技术以及槽底外延填充技术相互结合，将VDMOS的漏极引入器件的正面，避免了版图面积的浪费，不会对光刻套刻蚀精度产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 兼容 bcd 隔离 制造 工艺 垂直 扩散 晶体管 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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