[发明专利]兼容BCD深槽隔离制造工艺的垂直双扩散晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种兼容BCD深槽隔离制造工艺的垂直双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤一、在P型衬底（100）上表面注入第一N型注入区（101）；

步骤二、在P型衬底上生长一层第一N型外延层（102）；

步骤三、掩膜版介质层淀积，刻蚀漏极电位引出槽（104）和隔离槽（103），所述隔离槽（103）的深度贯穿第一N型外延层（102）和第一N型注入区（101），连接到P型衬底（100），漏极电位引出槽贯穿第一N型外延层（102），连接到第一N型注入区（101）；

步骤四、在漏极电位引出槽（104）和隔离槽（103）的侧壁与底部牺牲氧化，淀积第一介质层（105）并刻蚀槽底介质层；

步骤五、在漏极电位引出槽（104）和隔离槽（103）内填充第二N型外延层（106）；

步骤六、在相邻沟槽之间的第一N型外延层（102）上离子注入形成不连续的第一P型注入区（107）；

步骤七、在第一N型外延层（102）上方热氧生长高质量的栅氧化层（108），并在高质量的栅氧化层（108）上淀积一层多晶，经过刻蚀工艺形成栅极（109）；

步骤八、在第一P型注入区（107）离子注入第二N型区域（110），上方淀积第二层间介质层（111），刻蚀引线孔（112），孔底注入第二P型区域（113），淀积顶层金属并刻蚀形成源极接触（114）和漏极接触（115）。

2.根据权利要求1所述的兼容BCD深槽隔离制造工艺的垂直双扩散晶体管的制造方法，其特征在于：

步骤一中，所述第一N型注入区（101），注入的剂量在1e14cm^-2~1e16cm^-2范围内，注入的能量在100KeV~300KeV范围内。

3.根据权利要求2所述的兼容BCD深槽隔离制造工艺的垂直双扩散晶体管的制造方法，其特征在于：步骤三中，所述隔离槽（103）的CD是漏极电位引出槽（104）CD的1.5~2倍，漏极电位引出槽（104）CD为1.6~2.6um。

4.根据权利要求3所述的兼容BCD深槽隔离制造工艺的垂直双扩散晶体管的制造方法，其特征在于：步骤四中，牺牲氧化的厚度根据槽深度的不同来调整，槽深度5~20um对应的牺牲氧化的厚度在400~2000埃氧化层。

5.根据权利要求4所述的兼容BCD深槽隔离制造工艺的垂直双扩散晶体管的制造方法，其特征在于：步骤四中，第一介质层（105）的厚度为0.5~0.8um，材料为二氧化硅。

6.如权利要求1-5任一所述制造方法制得的兼容BCD深槽隔离制造工艺的垂直双扩散晶体管。