[发明专利]一种镓掺杂的氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211614877.0 | 申请日： | 2022-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN115775687A | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;黄腾;李煜淳 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/002;H01G13/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镓掺杂的氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法；本发明在硅/二氧化硅片上采用物理气相沉积技术生长底电极钨，然后在钨电极上采用等离子体增强原子层沉积技术生长镓掺杂氧化铪铁电薄膜，再利用物理气相沉积、光刻、剥离制备顶电极，最后采用快速热退火形成铁电电容器。本发明的镓掺杂氧化铪基铁电薄膜，通过采用原子半径较小的镓原子取代部分铪原子，在氧化铪薄膜中产生较大的应力，诱导铁电相的产生，实现了低矫顽场、高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 铪基铁电 薄膜 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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