[发明专利]一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法在审
| 申请号： | 202211595320.7 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN116167308A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;刘长俊;王树龙;陈树鹏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/33 | 分类号： | G06F30/33 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 勾慧敏 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，包括：构建SRAM加固单元的读写仿真电路结构，读写仿真电路结构包括SRAM加固单元以及两个三态门，其中，两个三态门的输出端对应连接SRAM加固单元的第一位线和第二位线，SRAM加固单元的字线输入外部字线控制电压；通过控制三态门的输出以及外部字线控制电压，对SRAM加固单元进行读操作和写操作仿真验证；获取weibull函数电流源，根据weibull函数电流源以及读写仿真电路结构，对SRAM加固单元的进行单粒子效应仿真；其中，利用weibull函数对单粒子效应数据拟合得到weibull函数电流源。本发明能够有效且快速地对SRAM电路加固单元进行功能和性能评估。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 hspice weibull 函数 sram 粒子 加固 电路 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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