[发明专利]一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法

说明书

本发明涉及一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，包括：构建SRAM加固单元的读写仿真电路结构，读写仿真电路结构包括SRAM加固单元以及两个三态门，其中，两个三态门的输出端对应连接SRAM加固单元的第一位线和第二位线，SRAM加固单元的字线输入外部字线控制电压；通过控制三态门的输出以及外部字线控制电压，对SRAM加固单元进行读操作和写操作仿真验证；获取weibull函数电流源，根据weibull函数电流源以及读写仿真电路结构，对SRAM加固单元的进行单粒子效应仿真；其中，利用weibull函数对单粒子效应数据拟合得到weibull函数电流源。本发明能够有效且快速地对SRAM电路加固单元进行功能和性能评估。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法。

背景技术

辐射效应是导致航天器失效的主要原因，在辐射效应中单粒子效应占主导地位，其在辐射引发航天器失效的因素高达80％。静态随机存储器(Static Random AccessMemory，SRAM)是航天电子系统的重要组成部分。

经典的6T-SRAM每比特灵敏度高、节点电容较低、功率低，不需要刷新电路技能保存数据，但其抗辐照能能力弱，极易因单粒子翻转效应而导致存储数据发生错误。因此，在实际应用中，需要对SRAM单元进行单粒子翻转加固测试，在对加固单元进行单粒子翻转测试的过程中需要采取合适的仿真方案。

现有技术中多利用CADENCE软件在加固电路各端口注入对应电压以及添加双指数电流源进行仿真，但是该方案存在电压、电流源添加复杂，以及电流源模型本身随着工艺尺寸降低而导致精确度降低的问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明提供了一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，包括：

步骤1：构建SRAM加固单元的读写仿真电路结构，所述读写仿真电路结构包括SRAM加固单元以及两个三态门，其中，所述两个三态门的输出端对应连接所述SRAM加固单元的第一位线和第二位线，所述SRAM加固单元的字线输入外部字线控制电压；

步骤2：通过控制所述三态门的输出以及所述外部字线控制电压，对所述SRAM加固单元进行读操作和写操作仿真验证；

步骤3：获取weibull函数电流源，根据所述weibull函数电流源以及所述读写仿真电路结构，对SRAM加固单元的进行单粒子效应仿真；

其中，利用weibull函数对单粒子效应数据拟合得到所述weibull函数电流源。

在本发明的一个实施例中，所述三态门用于产生高电平、低电平和高阻态三种控制信号。

在本发明的一个实施例中，所述步骤2包括：

步骤2.1：通过控制所述三态门的输出以及所述外部字线控制电压，对所述SRAM加固单元进行写操作仿真验证，包括：

控制所述外部字线控制电压将所述字线置为高电平，控制所述三态门的输出将所述第一位线和所述第二位线置为高低相反的两个电平，观测所述SRAM加固单元的第一存储节点和第二存储节点的电位变化，根据观测结果判断写操作是否成功；

步骤2.2：通过控制所述三态门的输出以及所述外部字线控制电压，对所述SRAM加固单元进行读操作仿真验证，包括：